Procédé de formation d'une tranchée capacitive d'isolation et substrat comprenant une telle tranchée

Le texte concerne un procédé de formation d'une tranchée d'isolation capacitive dans un substrat semi-conducteur, comprenant les étapes successives suivantes :- le creusement d'une tranchée (10) à partir d'une surface principale du substrat (1), ladite tranchée comprenant une por...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	MONNIER, Denis, LEVERD, Francois
Format:	Patent
Sprache:	fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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