Procédé de formation d'une tranchée capacitive d'isolation et substrat comprenant une telle tranchée

Le texte concerne un procédé de formation d'une tranchée d'isolation capacitive dans un substrat semi-conducteur, comprenant les étapes successives suivantes :- le creusement d'une tranchée (10) à partir d'une surface principale du substrat (1), ladite tranchée comprenant une portion supérieure (10a) s'élargissant progressivement à partir d'un col (102) en direction d'une portion inférieure (10b) de la tranchée ;- la formation d'un revêtement en un premier matériau électriquement isolant (14) sur les parois de la tranchée ;- le dépôt d'un premier matériau semi-conducteur (15) sur ledit revêtement, ledit dépôt étant interrompu de sorte à ménager un espace libre entre les parois (100, 101) de la tranchée, ledit espace libre présentant une ouverture (150) au niveau du col (102) ;- le dépôt d'un second matériau électriquement isolant (16) dans la tranchée, ledit dépôt résultant en la formation d'un bouchon (160) obturant ladite ouverture (150) pour former une cavité (17) fermée ;- la gravure du bouchon (16) de sorte à ouvrir la cavité (17) ;- le dépôt d'un second matériau semi-conducteur ou d'un métal de sorte à remplir la cavité (17). Figure pour l'abrégé : Fig 2I