Procédé de formation d'une tranchée capacitive d'isolation et substrat comprenant une telle tranchée

Procédé de formation d'une tranchée capacitive d'isolation et substrat comprenant une telle tranchée

Le texte concerne un procédé de formation d'une tranchée d'isolation capacitive dans un substrat semi-conducteur, comprenant les étapes successives suivantes :- le creusement d'une tranchée (10) à partir d'une surface principale du substrat (1), ladite tranchée comprenant une por...

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Hauptverfasser: MONNIER, Denis, LEVERD, Francois
Format: Patent
Sprache:fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator MONNIER, Denis
LEVERD, Francois
description Le texte concerne un procédé de formation d'une tranchée d'isolation capacitive dans un substrat semi-conducteur, comprenant les étapes successives suivantes :- le creusement d'une tranchée (10) à partir d'une surface principale du substrat (1), ladite tranchée comprenant une portion supérieure (10a) s'élargissant progressivement à partir d'un col (102) en direction d'une portion inférieure (10b) de la tranchée ;- la formation d'un revêtement en un premier matériau électriquement isolant (14) sur les parois de la tranchée ;- le dépôt d'un premier matériau semi-conducteur (15) sur ledit revêtement, ledit dépôt étant interrompu de sorte à ménager un espace libre entre les parois (100, 101) de la tranchée, ledit espace libre présentant une ouverture (150) au niveau du col (102) ;- le dépôt d'un second matériau électriquement isolant (16) dans la tranchée, ledit dépôt résultant en la formation d'un bouchon (160) obturant ladite ouverture (150) pour former une cavité (17) fermée ;- la gravure du bouchon (16) de sorte à ouvrir la cavité (17) ;- le dépôt d'un second matériau semi-conducteur ou d'un métal de sorte à remplir la cavité (17). Figure pour l'abrégé : Fig 2I
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