Procédé de fabrication d'un capteur d'image

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'image, comprenant :- la fourniture d'un substrat receveur (1) comprenant un substrat de base (10) et une couche active comprenant des pixels (11), chaque pixel comprenant une région dopée (12) de collecte des charges électriques générées dans le pixel,- la fourniture d'un substrat donneur (2) comprenant une zone de fragilisation (200) délimitant une couche semi-conductrice monocristalline (201),- le collage du substrat donneur (2) sur le substrat receveur (1),- le détachement du substrat donneur (2) le long de la zone de fragilisation (200), de sorte à transférer la couche semi-conductrice (201) sur le substrat receveur (1),- la mise en œuvre d'un traitement de finition de la couche semi-conductrice (201) transférée, ledit traitement de finition comprenant (i) un amincissement de la couche transférée par oxydation sacrificielle suivie d'une gravure chimique et (ii) au moins un recuit rapide. Figure pour l'abrégé : Fig 2 A method for fabricating an image sensor, comprising: providing a receiver substrate comprising a base substrate and an active layer comprising pixels, each pixel comprising a doped region for collecting the electric charges generated in the pixel, the receiver substrate being devoid of metal interconnections, providing a donor substrate comprising a weakened zone limiting a monocrystalline semiconductor layer, bonding the donor substrate to the receiver substrate, detaching the donor substrate along the weakened zone, so as to transfer the semiconductor layer to the receiver substrate, implementing a finishing treatment on the transferred monocrystalline semiconductor layer, the finishing treatment comprising (i) thinning of the transferred monocrystalline semiconductor layer by sacrificial oxidation followed by chemical etching and (ii) smoothing of the transferred monocrystalline semiconductor layer by means of at least one rapid anneal.