PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF A DIODES PHOTO-EMETTRICES ET/OU PHOTO-RECEPTRICES ET A GRILLE DE COLLIMATION AUTO-ALIGNEE

Procédé de réalisation d'un dispositif (100) à diodes (102) photo-émettrices/photo-réceptrices, comportant :- réalisation, sur un substrat, d'un empilement comprenant des première et deuxième couches semi-conductrices dopées ;- première gravure de l'empilement, formant des premières ouvertures traversant toute l'épaisseur de la deuxième couche ;- réalisation de portions diélectriques (138) recouvrant, dans les premières ouvertures, des flancs latéraux de la deuxième couche ;- deuxième gravure de l'empilement, prolongeant les premières ouvertures jusqu'à atteindre le substrat, délimitant des jonctions p-n des diodes ;- gravure prolongeant les premières ouvertures dans une partie du substrat ;- réalisation de premières portions électriquement conductrices (148) dans les premières ouvertures, formant des premières électrodes des diodes, et réalisation de deuxièmes électrodes (150) reliées électriquement à la deuxième couche ;- suppression du substrat, formant une grille de collimation (160). Figure pour l'abrégé : figure 1J. A method is provided for producing a device with light emitting/light receiving diodes, including: producing, on a substrate, a stack including first and second doped semiconductor layers; first etching of the stack, forming first openings through the entire thickness of the second layer; producing dielectric portions covering, in the first openings, the side walls of the second layer; second etching of the stack, extending the first openings until reaching the substrate, delimiting the p-n junctions of the diodes; etching extending the first openings into a part of the substrate; producing first electrically conductive portions in the first openings, forming first electrodes of the diodes, and producing second electrodes electrically connected to the second layer; and eliminating the substrate, forming a collimation grid.