Systèmes et procédés de détermination de profondeur d'interaction

Un ensemble détecteur (100) est proposé, lequel inclut un détecteur à semi-conducteur (110), plusieurs anodes pixelisées (114), et au moins une unité de traitement (120). Les différentes anodes pixelisées (114) sont disposées sur une surface (112) du détecteur à semi-conducteur (110). Chaque anode pixelisée est configurée pour générer un signal primaire (32) en réponse à la réception d'un photon (116) et pour générer au moins un signal secondaire (34 ; 35 ; 36 ; 37) en réponse à une charge induite provoquée par la réception d'un photon (116) par au moins une anode (14) environnante. L'au moins une unité de traitement est couplée fonctionnellement aux anodes pixelisées (114) et est configurée pour acquérir un signal primaire (32) à partir de l'une (114a) des anodes (114) en réponse à la réception d'un photon (116) ; acquérir au moins un signal secondaire (34 ; 35 ; 36 ; 37) à partir d'au moins un pixel voisin ; et déterminer une profondeur d'interaction (Z0 ; Z1 ; Z2 ; Z3 ; Z4) dans le détecteur à semi-conducteur (110) pour la réception du photon (116) par cette anode (114a) des anodes (114) en utilisant l'au moins un signal secondaire (34 ; 35 ; 36 ; 37). Figure pour l'abrégé : Fig 10 A detector assembly is provided that includes a semiconductor detector, plural pixelated anodes, and at least one processor. The plural pixelated anodes are disposed on a surface of the semiconductor detector. Each pixelated anode is configured to generate a primary signal responsive to reception of a photon and to generate at least one secondary signal responsive to an induced charge caused by reception of a photon by at least one surrounding anode. The at least one processor is operably coupled to the pixelated anodes and is configured to acquire a primary signal from one of the anodes responsive to reception of a photon; acquire at least one secondary signal from at least one neighboring pixel; and determine a depth of interaction in the semiconductor detector for the reception of the photon by the one of the anodes using the at least one secondary signal.