PROCEDE DE REALISATION DE CONTACT OHMIQUE STABLE THERMIQUEMENT SUR SEMI-CONDUCTEUR INP OU INGAAS

L'invention a pour objet un procédé de réalisation d'un contact ohmique stable thermiquement sur un matériau III-V de InP dopé ou de InGaAs dopé caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - le dépôt d'une couche en Ni d'épaisseur comprise entre 3 nm et 8 nm à la...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	HALIMAOUI, AOMAR
Format:	Patent
Sprache:	fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS DEVICES USING STIMULATED EMISSION ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	L'invention a pour objet un procédé de réalisation d'un contact ohmique stable thermiquement sur un matériau III-V de InP dopé ou de InGaAs dopé caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - le dépôt d'une couche en Ni d'épaisseur comprise entre 3 nm et 8 nm à la surface dudit matériau III-V ; - le dépôt d'une couche en Ti d'épaisseur d'au moins quelques nanomètres à la surface de ladite couche en Ni ; - une opération de recuit à une température de recuit comprise entre 200°C et 500°C.