CAPTEUR D'IMAGES

La présente description concerne un capteur d'images multispectrales comportant une pluralité de pixels (P1, P2, P3, P4) formés dans et sur une couche semiconductrice (101), chaque pixel comportant une zone active photosensible formée dans une portion de la couche semiconductrice délimitée latéralement par des murs d'isolation périphériques (105), ladite pluralité de pixels comprenant au moins un pixel (P1) d'un premier type dans lequel la portion de couche semiconductrice du pixel a une première dimension latérale choisie de façon à définir une cavité latérale résonant à une première longueur d'onde, et au moins un pixel (P2) d'un deuxième type dans lequel la portion de couche semiconductrice du pixel a une deuxième dimension latérale différente de la première dimension, choisie de façon à définir une cavité latérale résonant à une deuxième longueur d'onde différente de la première longueur d'onde. A multispectral image sensor includes a semiconductor layer and a number of pixels formed inside and on top of the semiconductor layer. Each pixel includes an active photosensitive area formed in a portion of the semiconductor layer laterally delimited by peripheral insulating walls. The pixels include a first pixel of a first type and a second pixel of a second type. The portion of semiconductor layer of the first pixel has a first lateral dimension selected to define a lateral cavity resonating at a first wavelength and the portion of semiconductor layer of the second pixel has a second lateral dimension different from the first lateral dimension. The second lateral dimension is selected to define a lateral cavity resonating at a second wavelength different from the first wavelength.