PROCEDE DE DENSIFICATION PAR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE DE SUBSTRATS ANNULAIRES POREUX

L'invention concerne un procédé de densification par infiltration chimique en phase gazeuse de substrats annulaires poreux (20) présentant un passage central, les substrats étant disposés dans une enceinte (10) délimitée par une paroi chauffée (10a) et agencés en au moins une première et une deuxième pile de substrats, chaque pile de substrats définissant un volume interne (21) formé par les passages centraux des substrats empilés, la première pile étant plus proche de la paroi que la deuxième pile, le procédé comprenant au moins une étape d'injection dans le volume interne de chaque pile de substrats d'une phase gazeuse comprenant un précurseur gazeux d'un matériau de matrice à déposer au sein de la porosité des substrats, et la quantité de matière de précurseur gazeux injectée par unité de temps dans la deuxième pile est supérieure à la quantité de matière de précurseur gazeux injectée par unité de temps dans la première pile. The invention concerns a method for densifying porous annular substrates (20) having a central passage by gas phase chemical infiltration, the substrates being arranged in a chamber (10) delimited by a heated wall (10a) and arranged into at least first and second substrate stacks, each substrate stack defining an inner space (21) formed by the central passages of the stacked substrates, the first stack being closer to the wall than the second stack, the method comprising at least one step of injecting, into the inner space of each substrate stack, a gas phase comprising a gaseous precursor of a matrix material to be deposited within the porosity of the substrates, and the quantity of gaseous precursor material injected per unit of time into the second stack is greater than the quantity of gaseous precursor material injected per unit of time into the first stack.