PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF PHOTOVOLTAIQUE OU PHOTO-DETECTEUR A JONCTION ELECTRONIQUE N-PERT ET DISPOSITIF PHOTOVOLTAIQUE OU PHOTO-DETECTEUR A JONCTION ELECTRONIQUE

PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF PHOTOVOLTAIQUE OU PHOTO-DETECTEUR A JONCTION ELECTRONIQUE N-PERT ET DISPOSITIF PHOTOVOLTAIQUE OU PHOTO-DETECTEUR A JONCTION ELECTRONIQUE

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif photovoltaïque ou photo-détecteur à jonction électronique n-PERT ou d'un panneau solaire à base de dispositifs photovoltaïque n-PERT. Selon l'invention, le procédé comprend les étapes suivantes : a) texturation d'...

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Hauptverfasser: MAROT, YVES, BLEVIN, THOMAS, FISCHER, GUILLAUME, POULIQUEN, SYLVAIN, DRAHI, ETIENNE
Format: Patent
Sprache:fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator MAROT, YVES
BLEVIN, THOMAS
FISCHER, GUILLAUME
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description L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif photovoltaïque ou photo-détecteur à jonction électronique n-PERT ou d'un panneau solaire à base de dispositifs photovoltaïque n-PERT. Selon l'invention, le procédé comprend les étapes suivantes : a) texturation d'au moins une face d'un substrat (4) de silicium cristallin dopé n pour générer une surface micro-texturée, la surface micro-texturée comprenant des micro-textures ; b) suite à l'étape a), diffusion de bore dans le substrat de silicium cristallin à travers la surface micro-texturée pour générer une couche (3) de silicium dopée, la couche (3) de silicium dopée p formant un émetteur de la jonction électronique ; et c) suite à l'étape b), gravure de la surface micro-texturée pour enlever une épaisseur en surface de la couche (3) de silicium dopée p et pour générer une surface micro-texturée et nano-texturée en surface de la couche (3) de silicium dopée p formant l'émetteur.
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Selon l'invention, le procédé comprend les étapes suivantes : a) texturation d'au moins une face d'un substrat (4) de silicium cristallin dopé n pour générer une surface micro-texturée, la surface micro-texturée comprenant des micro-textures ; b) suite à l'étape a), diffusion de bore dans le substrat de silicium cristallin à travers la surface micro-texturée pour générer une couche (3) de silicium dopée, la couche (3) de silicium dopée p formant un émetteur de la jonction électronique ; et c) suite à l'étape b), gravure de la surface micro-texturée pour enlever une épaisseur en surface de la couche (3) de silicium dopée p et pour générer une surface micro-texturée et nano-texturée en surface de la couche (3) de silicium dopée p formant l'émetteur.</description><language>fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2020</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20200320&amp;DB=EPODOC&amp;CC=FR&amp;NR=3077928B1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76419</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20200320&amp;DB=EPODOC&amp;CC=FR&amp;NR=3077928B1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MAROT, YVES</creatorcontrib><creatorcontrib>BLEVIN, THOMAS</creatorcontrib><creatorcontrib>FISCHER, GUILLAUME</creatorcontrib><creatorcontrib>POULIQUEN, SYLVAIN</creatorcontrib><creatorcontrib>DRAHI, ETIENNE</creatorcontrib><title>PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF PHOTOVOLTAIQUE OU PHOTO-DETECTEUR A JONCTION ELECTRONIQUE N-PERT ET DISPOSITIF PHOTOVOLTAIQUE OU PHOTO-DETECTEUR A JONCTION ELECTRONIQUE</title><description>L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif photovoltaïque ou photo-détecteur à jonction électronique n-PERT ou d'un panneau solaire à base de dispositifs photovoltaïque n-PERT. 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