PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF PHOTOVOLTAIQUE OU PHOTO-DETECTEUR A JONCTION ELECTRONIQUE N-PERT ET DISPOSITIF PHOTOVOLTAIQUE OU PHOTO-DETECTEUR A JONCTION ELECTRONIQUE

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif photovoltaïque ou photo-détecteur à jonction électronique n-PERT ou d'un panneau solaire à base de dispositifs photovoltaïque n-PERT. Selon l'invention, le procédé comprend les étapes suivantes : a) texturation d'au moins une face d'un substrat (4) de silicium cristallin dopé n pour générer une surface micro-texturée, la surface micro-texturée comprenant des micro-textures ; b) suite à l'étape a), diffusion de bore dans le substrat de silicium cristallin à travers la surface micro-texturée pour générer une couche (3) de silicium dopée, la couche (3) de silicium dopée p formant un émetteur de la jonction électronique ; et c) suite à l'étape b), gravure de la surface micro-texturée pour enlever une épaisseur en surface de la couche (3) de silicium dopée p et pour générer une surface micro-texturée et nano-texturée en surface de la couche (3) de silicium dopée p formant l'émetteur.