COUCHE DIELECTRIQUE SPECIFIQUE POUR DISPOSITIF CAPACITIF

La présente invention concerne une couche diélectrique destinée à interagir avec deux électrodes pour former un dispositif capacitif, la couche diélectrique étant un empilement de sous-couches superposées, chaque sous-couche présentant une épaisseur inférieure à 1 nanomètre, chaque sous-couche étant réalisée en un matériau dopé ou non, le matériau étant constitué de plusieurs éléments chimiques, chaque matériau d'une sous-couche variant par rapport aux autres matériaux des autres sous-couches au plus uniquement par au moins l'un parmi la stœchiométrie des éléments et le taux de dopage, les matériaux de chaque sous-couche étant choisis pour que la variation relative de capacité pour une tension prédéfinie appliquée à la couche diélectrique soit inférieure ou égale à 3.10-3. The invention relates to a dielectric layer for interacting with two electrodes in order to form a capacitive device, the dielectric layer being a stack of superimposed sub-layers, each sub-layer having a thickness of less than 1 nanometer, each sub-layer being made of a material that is doped or not, the material consisting of a plurality of chemical elements, each material of a sub-layer varying in relation to the other materials of the other sub-layers at the most only by at least one out of the stoichiometry of the elements and the doping level, and the materials of each sub-layer being selected such that the relative variation of capacitance for a predefined voltage applied to the dielectric layer is less than or equal to 3.10-3.