DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE

L'invention concerne un dispositif optoélectronique (40) comprenant ; un support (46) ; des blocs (52) d'un matériau semiconducteur, reposant sur le support et comprenant chacun une première face (54) du côté opposé au support et des parois latérales (56) ; une couche de nucléation (58) sur chaque première face ; une première couche isolante (60, 62) recouvrant chaque couche de nucléation et comprenant une ouverture (64) exposant une partie de la couche de nucléation ; un élément semiconducteur (72) reposant sur chaque première couche isolante et au contact de la couche de nucléation recouverte par la première couche isolante dans l'ouverture ; une coque (74) recouvrant chaque élément semiconducteur et comprenant une couche active adaptée à émettre au absorber un rayonnement électromagnétique ; et une première couche conductrice (80), réfléchissant le rayonnement, s'étendant entre les éléments semiconducteurs et s'étendant sur au moins une partie des parois latérales des blocs. An optoelectronic device including: a support; blocks of a semiconductor material, resting on the support and each including a first surface on the side opposite to the support and lateral walls; a nucleation layer on each first surface; a first insulating layer covering each nucleation layer and including an opening exposing a portion of the nucleation layer; a semiconductor element resting on each first insulating layer and in contact with the nucleation layer covered with the first insulating layer in the opening; a shell covering each semiconductor element and including an active layer capable of emitting or absorbing an electromagnetic radiation; and a first conductive layer, reflecting the radiation, extending between the semiconductor elements and extending over at least a portion of the lateral walls of the blocks.