FENETRES DE DETECTION OPTIQUE DE POINT LIMITE DE POLYURETHANE ALIPHATIQUE ET TAMPONS DE POLISSAGE CMP LES CONTENANT
La présente invention fournit un tampon de polissage mécano-chimique (CMP) pour polir, par exemple, un substrat semi-conducteur, ayant une ou plusieurs fenêtres de détection de point limite (fenêtres) qui à une épaisseur de 2 mm auraient une coupure UV à une longueur d'onde de 325 nm ou inférie...
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| creator | ISLAM, MOHAMMAD T JACOB, GEORGE C CHIOU, NAN-RONG |
| description | La présente invention fournit un tampon de polissage mécano-chimique (CMP) pour polir, par exemple, un substrat semi-conducteur, ayant une ou plusieurs fenêtres de détection de point limite (fenêtres) qui à une épaisseur de 2 mm auraient une coupure UV à une longueur d'onde de 325 nm ou inférieure, lesquelles sont le produit d'un mélange réactionnel de (A) de 30 à 56% en masse d'un ou plusieurs diisocyanates ou polyisocyanates cycloaliphatiques avec (B) de 43 à 69,9999 % d'un mélange de polyols de (i) un diol polymère ayant une masse moléculaire moyenne de 500 à 1 500, tel qu'un carbonate diol pour des fenêtres dures et un polyéther polyol pour des fenêtres souples et de (ii) un triol ayant une masse moléculaire moyenne de 120 à 320 dans un rapport massique de (B)(i) diol polymère à (B)(ii) triol de 1,6:1 à 5,2:1, et d'un catalyseur, de préférence d'une amine secondaire ou tertiaire ou de néodécanoate de bismuth, tous les pourcents en masse rapportés à la masse totale de solides du mélange réactionnel.
The present invention provides a chemical mechanical (CMP) polishing pad for polishing, for example, a semiconductor substrate, having one or more endpoint detection windows (windows) which at a thickness of 2 mm would have a UV cut-off at a wavelength of 325 nm or lower which are the product of a reaction mixture of (A) from 30 to 56 wt. % of one or more cycloaliphatic diisocyanates or polyisocyanates with (B) from 43 to 69.9999 a polyol mixture of (i) a polymeric diol having an average molecular weight of from 500 to 1,500, such as a polycarbonate diol for hard windows and a polyether polyol for soft windows and (ii) a triol having an average to molecular weight of from 120 to 320 in a weight ratio of (B)(i) polymeric diol to (B)(ii) triol ranging from 1.6:1 to 5.2:1, and a catalyst, preferably a secondary or tertiary amine or bismuth neodecanoate, all weight percent's based on the total solids weight of the reaction mixture. |
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The present invention provides a chemical mechanical (CMP) polishing pad for polishing, for example, a semiconductor substrate, having one or more endpoint detection windows (windows) which at a thickness of 2 mm would have a UV cut-off at a wavelength of 325 nm or lower which are the product of a reaction mixture of (A) from 30 to 56 wt. % of one or more cycloaliphatic diisocyanates or polyisocyanates with (B) from 43 to 69.9999 a polyol mixture of (i) a polymeric diol having an average molecular weight of from 500 to 1,500, such as a polycarbonate diol for hard windows and a polyether polyol for soft windows and (ii) a triol having an average to molecular weight of from 120 to 320 in a weight ratio of (B)(i) polymeric diol to (B)(ii) triol ranging from 1.6:1 to 5.2:1, and a catalyst, preferably a secondary or tertiary amine or bismuth neodecanoate, all weight percent's based on the total solids weight of the reaction mixture.</description><language>fre</language><subject>DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES ; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS ; GRINDING ; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING ; PERFORMING OPERATIONS ; POLISHING ; TOOLS FOR GRINDING, BUFFING, OR SHARPENING ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2018</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20181026&DB=EPODOC&CC=FR&NR=3065385A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20181026&DB=EPODOC&CC=FR&NR=3065385A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>ISLAM, MOHAMMAD T</creatorcontrib><creatorcontrib>JACOB, GEORGE C</creatorcontrib><creatorcontrib>CHIOU, NAN-RONG</creatorcontrib><title>FENETRES DE DETECTION OPTIQUE DE POINT LIMITE DE POLYURETHANE ALIPHATIQUE ET TAMPONS DE POLISSAGE CMP LES CONTENANT</title><description>La présente invention fournit un tampon de polissage mécano-chimique (CMP) pour polir, par exemple, un substrat semi-conducteur, ayant une ou plusieurs fenêtres de détection de point limite (fenêtres) qui à une épaisseur de 2 mm auraient une coupure UV à une longueur d'onde de 325 nm ou inférieure, lesquelles sont le produit d'un mélange réactionnel de (A) de 30 à 56% en masse d'un ou plusieurs diisocyanates ou polyisocyanates cycloaliphatiques avec (B) de 43 à 69,9999 % d'un mélange de polyols de (i) un diol polymère ayant une masse moléculaire moyenne de 500 à 1 500, tel qu'un carbonate diol pour des fenêtres dures et un polyéther polyol pour des fenêtres souples et de (ii) un triol ayant une masse moléculaire moyenne de 120 à 320 dans un rapport massique de (B)(i) diol polymère à (B)(ii) triol de 1,6:1 à 5,2:1, et d'un catalyseur, de préférence d'une amine secondaire ou tertiaire ou de néodécanoate de bismuth, tous les pourcents en masse rapportés à la masse totale de solides du mélange réactionnel.
The present invention provides a chemical mechanical (CMP) polishing pad for polishing, for example, a semiconductor substrate, having one or more endpoint detection windows (windows) which at a thickness of 2 mm would have a UV cut-off at a wavelength of 325 nm or lower which are the product of a reaction mixture of (A) from 30 to 56 wt. % of one or more cycloaliphatic diisocyanates or polyisocyanates with (B) from 43 to 69.9999 a polyol mixture of (i) a polymeric diol having an average molecular weight of from 500 to 1,500, such as a polycarbonate diol for hard windows and a polyether polyol for soft windows and (ii) a triol having an average to molecular weight of from 120 to 320 in a weight ratio of (B)(i) polymeric diol to (B)(ii) triol ranging from 1.6:1 to 5.2:1, and a catalyst, preferably a secondary or tertiary amine or bismuth neodecanoate, all weight percent's based on the total solids weight of the reaction mixture.</description><subject>DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES</subject><subject>FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS</subject><subject>GRINDING</subject><subject>MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>POLISHING</subject><subject>TOOLS FOR GRINDING, BUFFING, OR SHARPENING</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2018</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjUEKwjAQRbtxIeod5gKCUipuhzi1A8kkNtOFq1IkrkQL9f5YMQcQPnz-48FfFlNNQtpShBPNUTLKXsAH5Uv3JRA8i4Jlx5q3vXYtaYNCgJZDgz-XFBRd8BKzxjHimcC4AHY-MF6UBEXXxeI-PKa0yb0qoCY1zTaNrz5N43BLz_Tu67bcHaryWOG-_EP5AApPOD8</recordid><startdate>20181026</startdate><enddate>20181026</enddate><creator>ISLAM, MOHAMMAD T</creator><creator>JACOB, GEORGE C</creator><creator>CHIOU, NAN-RONG</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20181026</creationdate><title>FENETRES DE DETECTION OPTIQUE DE POINT LIMITE DE POLYURETHANE ALIPHATIQUE ET TAMPONS DE POLISSAGE CMP LES CONTENANT</title><author>ISLAM, MOHAMMAD T ; JACOB, GEORGE C ; CHIOU, NAN-RONG</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_FR3065385A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>fre</language><creationdate>2018</creationdate><topic>DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES</topic><topic>FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS</topic><topic>GRINDING</topic><topic>MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>POLISHING</topic><topic>TOOLS FOR GRINDING, BUFFING, OR SHARPENING</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>ISLAM, MOHAMMAD T</creatorcontrib><creatorcontrib>JACOB, GEORGE C</creatorcontrib><creatorcontrib>CHIOU, NAN-RONG</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>ISLAM, MOHAMMAD T</au><au>JACOB, GEORGE C</au><au>CHIOU, NAN-RONG</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>FENETRES DE DETECTION OPTIQUE DE POINT LIMITE DE POLYURETHANE ALIPHATIQUE ET TAMPONS DE POLISSAGE CMP LES CONTENANT</title><date>2018-10-26</date><risdate>2018</risdate><abstract>La présente invention fournit un tampon de polissage mécano-chimique (CMP) pour polir, par exemple, un substrat semi-conducteur, ayant une ou plusieurs fenêtres de détection de point limite (fenêtres) qui à une épaisseur de 2 mm auraient une coupure UV à une longueur d'onde de 325 nm ou inférieure, lesquelles sont le produit d'un mélange réactionnel de (A) de 30 à 56% en masse d'un ou plusieurs diisocyanates ou polyisocyanates cycloaliphatiques avec (B) de 43 à 69,9999 % d'un mélange de polyols de (i) un diol polymère ayant une masse moléculaire moyenne de 500 à 1 500, tel qu'un carbonate diol pour des fenêtres dures et un polyéther polyol pour des fenêtres souples et de (ii) un triol ayant une masse moléculaire moyenne de 120 à 320 dans un rapport massique de (B)(i) diol polymère à (B)(ii) triol de 1,6:1 à 5,2:1, et d'un catalyseur, de préférence d'une amine secondaire ou tertiaire ou de néodécanoate de bismuth, tous les pourcents en masse rapportés à la masse totale de solides du mélange réactionnel.
The present invention provides a chemical mechanical (CMP) polishing pad for polishing, for example, a semiconductor substrate, having one or more endpoint detection windows (windows) which at a thickness of 2 mm would have a UV cut-off at a wavelength of 325 nm or lower which are the product of a reaction mixture of (A) from 30 to 56 wt. % of one or more cycloaliphatic diisocyanates or polyisocyanates with (B) from 43 to 69.9999 a polyol mixture of (i) a polymeric diol having an average molecular weight of from 500 to 1,500, such as a polycarbonate diol for hard windows and a polyether polyol for soft windows and (ii) a triol having an average to molecular weight of from 120 to 320 in a weight ratio of (B)(i) polymeric diol to (B)(ii) triol ranging from 1.6:1 to 5.2:1, and a catalyst, preferably a secondary or tertiary amine or bismuth neodecanoate, all weight percent's based on the total solids weight of the reaction mixture.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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