PROCEDE POUR LA SILICIURATION SURFACIQUE DE GRAPHITE

La présente invention concerne un procédé utile pour la siliciuration surfacique d'un matériau carboné comprenant au moins les étapes consistant à mettre en contact ladite surface à traiter avec une quantité efficace de particules de silicium ; imposer, au moins à ladite surface revêtue desdite...

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Hauptverfasser:	VEILLY, MAXIME, CIERNIAK, ETIENNE, DREVET, BEATRICE, CAMEL, DENIS, COUSTIER, FABRICE
Format:	Patent
Sprache:	fre
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR ARTIFICIAL STONE CASTING CEMENTS CERAMICS CHEMISTRY COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDINGMATERIALS CONCRETE CRYSTAL GROWTH FOUNDRY MOULDING LIME, MAGNESIA METALLURGY PERFORMING OPERATIONS POWDER METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL REFRACTORIES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH SLAG TRANSPORTING TREATMENT OF NATURAL STONE UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	La présente invention concerne un procédé utile pour la siliciuration surfacique d'un matériau carboné comprenant au moins les étapes consistant à mettre en contact ladite surface à traiter avec une quantité efficace de particules de silicium ; imposer, au moins à ladite surface revêtue desdites particules de silicium, un traitement thermique propice à la fusion du silicium et à son interaction à l'état fondu avec le carbone de ladite surface pour former du SiC en quantité suffisante pour former, en surface, une couche superficielle de SiC imperméable et en contact direct avec le carbone de ladite surface externe et éliminer le silicium libre en excès notamment par évaporation sous vide.