PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSISTORS, EN PARTICULIER DES TRANSISTORS DE SELECTION POUR DES MEMOIRES NON-VOLATILES, ET DISPOSITIF CORRESPONDANT

Un transistor MOS à deux grilles verticales (TS) comporte une zone d'un substrat semiconducteur (ZS) ayant un premier type de conductivité séparée du reste du substrat (SUB) par deux premières tranchées parallèles (GT1, GT2) s'étendant dans une première direction (X), une région isolée de...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	FAGOT JEAN-JACQUES, BOIVIN PHILIPPE
Format:	Patent
Sprache:	fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INFORMATION STORAGE PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES STATIC STORES
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