PROCEDES ET SYSTEMES DE FONCTIONNALISATION OPTIQUE D'UN ECHANTILLON EN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR

Selon un aspect, l'invention concerne un système (100) pour la fonctionnalisation optique en profondeur d'un échantillon (10) en matériau semi-conducteur, comprenant : - une source d'émission (20) d'un faisceau laser formé d'impulsions de durées effectives comprises entre 1 ps et 100 ns, présentant une longueur d'onde dans la bande spectrale de transparence du matériau; - un objectif de microscope (40) pour la focalisation en profondeur dans l'échantillon du faisceau laser selon un motif prédéterminé, l'intensité lumineuse par impulsion dans un volume de focalisation du faisceau laser étant adaptée pour la génération d'une absorption multi-photonique dans le matériau semi-conducteur; - un dispositif de mesure (30) de la partie réelle de l'indice de réfraction de l'échantillon en chaque point du motif ; - une unité de contrôle (60) du nombre d'impulsions reçues par point du motif en fonction de ladite mesure de la partie réelle de l'indice de réfraction de telle sorte à obtenir, en chaque point du motif, une modification progressive de la partie réelle de l'indice de réfraction du matériau jusqu'à une variation relative de la partie réelle de l'indice de réfraction supérieure à 10-3 en valeur absolue. One aspect of the invention relates to a system (100) for optical functionalisation at different depths of a sample (10) made of semiconductor material, comprising: - a source (20) for emitting a laser beam formed of pulses having effective durations between 1 ps and 100 ns, having a wavelength in the spectral band of transparency of the material; - a microscope lens (40) for focusing of the laser beam at different depths in the sample according to a predetermined pattern, the luminous intensity per pulse in a focal volume of the laser beam being suitable for generating a multi-photonic absorption in the semiconductor material; - a measurement device (30) for measuring the real part of the refractive index of the sample at each point of the pattern; - a control unit (60) for controlling the number of pulses received per point of the pattern depending on said measurement of the real part of the refractive index, in such a way as to obtain, at each point of the pattern, a gradual modification of the real part of the refractive index of the material up to a relative variation of the real part of the refractive index greater than 10-3 in absolute value.