STRUCTURE DE NUCLEATION ADAPTEE A LA CROISSANCE EPITAXIALE D'ELEMENTS SEMICONDUCTEURS TRIDIMENSIONNELS

L'invention porte sur une structure de nucléation (10) adaptée à la croissance épitaxiale d'éléments semiconducteurs tridimensionnels (31), comportant : - un substrat (11) comprenant un matériau monocristallin formant une surface de croissance (13) ; - une pluralité de portions intermédiaires (14) en un matériau cristallin intermédiaire épitaxié à partir de ladite surface de croissance (13) et définissant une surface intermédiaire supérieure (15) ; - une pluralité de portions de nucléation (16), en un matériau comprenant un métal de transition formant un matériau cristallin de nucléation, épitaxié chacune à partir de la surface intermédiaire supérieure (15), et définissant une surface de nucléation (17) adaptée à la croissance épitaxiale d'un élément semiconducteur tridimensionnel. A nucleation structure for the epitaxial growth of three-dimensional semiconductor elements, including a substrate including a monocrystalline material forming a growth surface, a plurality of intermediate portions made of an intermediate crystalline material epitaxied from the growth surface and defining an upper intermediate surface, and a plurality of nucleation portions, made of a material including a transition metal forming a nucleation crystalline material, each epitaxied from the upper intermediate surface, and defining a nucleation surface suitable for the epitaxial growth of a three-dimensional semiconductor element.