PROCEDE DE RECUIT RAPIDE D'UN EMPILEMENT DE COUCHES MINCES CONTENANT UNE SURCOUCHE A BASE D'INDIUM

L'invention a pour objet un procédé de traitement thermique comprenant l'irradiation d'un substrat comprenant une feuille de verre revêtue sur une de ses faces d'un empilement de couches minces, sous une atmosphère contenant de l'oxygène (O2), avec un rayonnement électromagnétique présentant une longueur d'onde comprise entre 500 et 2000 nm, ledit rayonnement électromagnétique étant issu d'un dispositif émetteur placé en regard de l'empilement de couches minces, un déplacement relatif étant créé entre ledit dispositif émetteur et ledit substrat de manière à porter l'empilement de couches minces à une température au moins égale à 300 °C pendant une durée brève inférieure à une seconde, de préférence inférieure à 0,1 seconde, ledit procédé étant caractérisé par le fait que la dernière couche de l'empilement, en contact avec l'atmosphère, appelée surcouche, est une couche métallique d'indium ou d'un alliage à base d'indium. Elle a également pour objet un substrat pour la mise en œuvre de ce procédé et un substrat susceptible d'être obtenu par ce procédé. A heat treatment process includes irradiating a substrate including a glass sheet coated on one of its faces with a stack of thin layers, under an atmosphere containing oxygen (O2), with electromagnetic radiation having a wavelength comprised between 500 and 2000 nm, the electromagnetic radiation being emitted by an emitter device placed facing the stack of thin layers, a relative movement being created between the emitter device and the substrate, so as to raise the stack of thin layers to a temperature at least equal to 300° C. for a brief duration shorter than one second, wherein the last layer of the stack, making contact with the atmosphere, called the overcoat, is a metal layer of indium or of an indium-based alloy.