FORMULATION DE LA COMPOSITION DE COUCHE DE POLISSAGE DE TAMPON DE POLISSAGE MECANO-CHIMIQUE

L'invention concerne un tampon de polissage mécano-chimique (10) comprenant: une couche de polissage (20) ayant une surface de polissage (14); où la couche de polissage comprend une première phase polymérique non fugitive continue (30) et une seconde phase polymérique non fugitive (50); où la première phase polymérique non fugitive continue a une pluralité d'évidements périodiques (40); où la pluralité d'évidements périodiques sont occupés par la seconde phase polymérique non fugitive; où la première phase polymérique non fugitive continue a une porosité d'alvéoles ouverts ≤ 6 vol%; où la seconde phase polymérique non fugitive contient une porosité d'alvéoles ouverts ≥ 10 vol%; et où la surface de polissage est adaptée pour polir un substrat. A chemical mechanical polishing pad is provided containing: a polishing layer having a polishing surface; wherein the polishing layer comprises a first continuous non-fugitive polymeric phase and a second non-fugitive polymeric phase; wherein the first continuous non-fugitive polymeric phase has a plurality of periodic recesses; wherein the plurality of periodic recesses are occupied with the second non-fugitive polymeric phase; wherein the first continuous non-fugitive polymeric phase has an open cell porosity of ≦6 vol %; wherein the second non-fugitive polymeric phase contains an open cell porosity of ≧10 vol %; and, wherein the polishing surface is adapted for polishing a substrate.