TAMPON DE POLISSAGE EN POLYURETHANE A HAUTE STABILITE

L'invention fournit un tampon de polissage approprié pour planariser au moins l'un parmi les substrats semi-conducteurs, optiques et magnétiques, qui est une matrice polymérique en polyuréthane coulé formée à partir d'une molécule à terminaison isocyanate et d'un agent de durcissement, la matrice polymérique en polyuréthane coulé contenant 4,2 à 7,5 pourcent en poids de microsphères chargées de fluide dans la molécule à terminaison isocyanate, les microsphères chargées de fluide étant polymériques et ayant un diamètre moyen de 10 à 80 µm et le tampon de polissage ayant une sensibilité à l'outil de conditionnement (SC) de 0 à 2,6. The invention provides a polishing pad suitable for planarizing at least one of semiconductor, optical and magnetic substrates. The polishing pad is a cast polyurethane polymeric matrix formed from an isocyanate-terminated molecule and a curative agent. The cast polyurethane polymeric matrix contains 4.2 to 7.5 weight percent fluid-filled microspheres in the isocyanate-terminated molecule. The fluid-filled-microspheres is polymeric and has an average diameter of 10 to 80 μm and the polishing pad having a conditioner sensitivity (CS) of 0 to 2.6.