TRANSISTOR MOS A TENSION DE SEUIL AJUSTABLE

L'invention concerne un transistor MOS dont l'empilement conducteur de grille (11) comprend, sur un isolant de grille (13), un composé métallique (17) surmonté de silicium polycristallin (119), le silicium polycristallin comprenant une région inférieure (119B) en contact avec le composé mé...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	PLANES NICOLAS, RANICA ROSSELLA, GARCHERY LAURENT, KOHLER SABRINA, BARRAL VINCENT, PETIT DAVID
Format:	Patent
Sprache:	fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	L'invention concerne un transistor MOS dont l'empilement conducteur de grille (11) comprend, sur un isolant de grille (13), un composé métallique (17) surmonté de silicium polycristallin (119), le silicium polycristallin comprenant une région inférieure (119B) en contact avec le composé métallique, une région centrale (119C) et une région supérieure (119A), dans lequel la région inférieure est plus fortement dopée que la région centrale.