COMPOSITION DE POLISSAGE MECANO-CHIMIQUE POUR POLIR UNE SURFACE DE SAPHIR ET PROCEDES D'UTILISATION DE CELLE-CI

Il est fourni un procédé de polissage d'un substrat de saphir, comprenant : la fourniture d'un substrat présentant une surface de saphir exposée ; la fourniture d'une suspension de polissage mécano-chimique, dans laquelle la suspension de polissage mécano-chimique comprend, comme cons...

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Hauptverfasser: YOSHIDA KOICHI, MORIYAMA KAZUKI, NISHIZAWA HIDEAKI, EZAWA SHUNJI, BULICK ALLEN S, ARUMUGAM SELVANATHAN
Format: Patent
Sprache:fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Il est fourni un procédé de polissage d'un substrat de saphir, comprenant : la fourniture d'un substrat présentant une surface de saphir exposée ; la fourniture d'une suspension de polissage mécano-chimique, dans laquelle la suspension de polissage mécano-chimique comprend, comme constituants initiaux : un abrasif de silice colloïdale, dans lequel l'abrasif de silice colloïdale présente une charge de surface négative ; et, dans lequel l'abrasif de silice colloïdale présente une distribution de taille de particules multimodale avec une première taille de particules maximale de 2 à 25 nm ; et, une seconde taille de particules maximale de 75 à 200 nm ; éventuellement un biocide ; éventuellement un agent antimousse non ionique ; et, éventuellement, un agent d'ajustement du pH. Il est également fourni une composition de polissage mécanochimique pour polir une surface de saphir exposée. A method of polishing a sapphire substrate is provided, comprising: providing a substrate having an exposed sapphire surface; providing a chemical mechanical polishing slurry, wherein the chemical mechanical polishing slurry comprises, as initial components: colloidal silica abrasive, wherein the colloidal silica abrasive has a negative surface charge; and, wherein the colloidal silica abrasive exhibits a multimodal particle size distribution with a first particle size maximum between 2 and 25 nm; and, a second particle size maximum between 75 and 200 nm; optionally, a biocide; optionally, a nonionic defoaming agent; and, optionally, a pH adjuster. A chemical mechanical polishing composition for polishing an exposed sapphire surface is also provided.