DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AYANT UNE COUCHE DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT

Un procédé de fabrication de composant semiconducteur (100) est proposé. Le procédé comporte la réalisation d'une couche semiconductrice (120) en carbure de silicium, la couche semiconductrice (120) comprenant une première région (121) dopée avec un premier type de dopant. Le procédé comporte e...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	KENNERLY STACEY JOY, LOSEE PETER ALMERN, BOLOTNIKOV ALEXANDER VIKTOROVICH
Format:	Patent
Sprache:	fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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