DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AYANT UNE COUCHE DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT

Un procédé de fabrication de composant semiconducteur (100) est proposé. Le procédé comporte la réalisation d'une couche semiconductrice (120) en carbure de silicium, la couche semiconductrice (120) comprenant une première région (121) dopée avec un premier type de dopant. Le procédé comporte en outre l'implantation, dans la couche semiconductrice (120), d'un second type de dopant à l'aide d'un unique masque d'implantation et d'une dose d'implantation sensiblement similaire pour former dans la couche semiconductrice (120) une seconde région (122) et une extension de terminaison de jonction (JTE) (124), la dose d'implantation étant d'environ 2 x 1013 cm-2 à environ 12 x 1013 cm-2. Des composants semiconducteurs sont également proposés. A method of manufacturing a semiconductor device is presented. The method includes providing a semiconductor layer comprising silicon carbide, wherein the semiconductor layer comprises a first region doped with a first dopant type. The method further includes implanting the semiconductor layer with a second dopant type using a single implantation mask and a substantially similar implantation dose to form a second region and a junction termination extension (JTE) in the semiconductor layer, wherein the implantation dose is in a range from about 2×1013 cm−2 to about 12×1013 cm−2. Semiconductor devices are also presented.