DISPOSITIF DE COMMUTATION A CORPS POLARISE

Des modes de réalisation proposent un dispositif de commutation comprenant un ou plusieurs transistors à effet de champ (FET). Dans des modes de réalisation, un circuit de polarisation de corps (124, 324, 524, 624) peut dériver une tension de polarisation en fonction d'un signal radiofréquence...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: FURINO JR. JAMES P, YORE MICHAEL D, CLAUSEN WILLIAM J
Format: Patent
Sprache:fre
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Des modes de réalisation proposent un dispositif de commutation comprenant un ou plusieurs transistors à effet de champ (FET). Dans des modes de réalisation, un circuit de polarisation de corps (124, 324, 524, 624) peut dériver une tension de polarisation en fonction d'un signal radiofréquence appliqué sur un transistor à effet de champ de commutation (104, 304, 504, 604) et appliquer la tension de polarisation sur la borne de corps (120, 320, 520, 620) du transistor à effet de champ de commutation (104, 304, 504, 604). Embodiments provide a switching device including one or more field-effect transistors (FETs). In embodiments, a body-bias circuit may derive a bias voltage based on a radio frequency signal applied to a switch field-effect transistor and apply the bias voltage to the body terminal of the switch field-effect transistor.