PROCEDE POUR REALISER UN MODULE PHOTOVOLTAIQUE AVEC DEUX ETAPES DE GRAVURE P1 ET P3 ET MODULE PHOTOVOLTAIQUE CORRESPONDANT
Procédé de réalisation d'un module photovoltaïque comportant une pluralité de cellules solaires dans une structure en couches minces, dans lequel sont réalisées successivement dans la structure, une électrode en face arrière (41), une couche photovoltaïque (43) obtenue par dépôt de constituants...
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Format: | Patent |
Sprache: | fre |
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Zusammenfassung: | Procédé de réalisation d'un module photovoltaïque comportant une pluralité de cellules solaires dans une structure en couches minces, dans lequel sont réalisées successivement dans la structure, une électrode en face arrière (41), une couche photovoltaïque (43) obtenue par dépôt de constituants comprenant des précurseurs métalliques et au moins un élément pris parmi Se et S et par recuit pour convertir ces constituants en matériau semi-conducteur, et une autre couche (44) de semi-conducteur pour créer une jonction pn avec la couche photovoltaïque (43), caractérisé en ce que les précurseurs métalliques forment, sur l'électrode en face arrière (41), une couche continue, alors que ledit au moins un élément forme une couche présentant au moins une discontinuité permettant, à l'issue du recuit, de laisser une zone (430) de la couche de précurseurs métalliques à l'état métallique au niveau de ladite discontinuité.
The invention relates to a method for manufacturing a photovoltaic module comprising plurality of solar cells in a thin-layer structure, in which the following are formed consecutively in the structure: an electrode on the rear surface (41), a photovoltaic layer (43) obtained by depositing components including metal precursors and at least one element taken from Se and S and by annealing such as to convert said components into a semiconductor material, and another semiconductor layer (44) in order to create a pn junction with the photovoltaic layer (43); characterized in that the metal precursors form, on the electrode on the rear surface (41), a continuous layer, while said at least one element forms a layer having at least one break making it possible, at the end of the annealing step, to leave an area (430) of the layer of metal precursors in the metal state at said break. |
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