PROCÉDÉS DE FORMATION DE MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEURS III/IV ET STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES FORMÉES EN UTILISANT CES PROCÉDÉS

Des procédés de formation de matériaux de nitrure III ternaire consistent à développer de manière épitaxiale un matériau de nitrure III ternaire sur un substrat dans une chambre. La croissance épitaxiale consiste à fournir un mélange de gaz précurseurs dans la chambre qui comprend un rapport relativement élevé entre une pression partielle d'un précurseur d'azote et une pression partielle d'un ou de plusieurs précurseurs de groupe III dans la chambre. Du fait au moins en partie du rapport relativement élevé, la couche de matériau de nitrure III ternaire peut être développée en une grande épaisseur finale avec de petits défauts de creux en V dans celle-ci. Des structures semi-conductrices comprenant ces couches de matériau de nitrure III ternaire sont fabriquées en utilisant ces procédés. Forming indium gallium nitride (InGaN) comprises providing a layer of gallium nitride (GaN) within a chamber; epitaxially growing a layer of InGaN on a surface of the layer of GaN, comprising providing a precursor gas mixture within the chamber; selecting the precursor gas mixture to comprise one or more Group III precursors and a nitrogen precursor; formulating the precursor gas mixture; and decomposing at least a portion of the one or more Group III precursors and at least a portion of the nitrogen precursor proximate the surface of the layer of GaN; and growing the layer of InGaN. Forming indium gallium nitride (InGaN) comprises providing a layer of gallium nitride (GaN) within a chamber; epitaxially growing a layer of InGaN on a surface of the layer of GaN, comprising providing a precursor gas mixture within the chamber; selecting the precursor gas mixture to comprise one or more Group III precursors and a nitrogen precursor; formulating the precursor gas mixture to cause a ratio of a partial pressure of the nitrogen precursor to a partial pressure of the one or more Group III precursors within the chamber to be at least about 5600; and decomposing at least a portion of the one or more Group III precursors and at least a portion of the nitrogen precursor proximate the surface of the layer of GaN; and growing the layer of InGaN to an average final thickness greater than about one hundred nanometers (100 nm) and less than a critical thickness of the layer of InGaN. An independent claim is a semiconductor structure comprising a ternary III-nitride material comprising nitrogen, gallium, and at least one of indium and aluminum, the ternary III-nitride material formed by a me