COMPOSITION DE POLISSAGE CHIMICO-MECANIQUE, EXEMPTE DE CELLULOSE HYDROSOLUBLE, CONCENTRABLE, STABLE

Une composition de polissage chimico-mécanique utile pour polissage chimico-mécanique d'une plaquette de semiconducteurs contenant un métal d'interconnexion, est fournie, comprenant, en tant que composants initiaux : de l'eau ; un inhibiteur de type azole ; un agent tensio-actif organique de métal alcalin ; un hydrotrope ; un agent contenant du phosphore ; éventuellement, un polymère non saccharidique hydrosoluble ; éventuellement, un composé acide hydrosoluble de formule I ; éventuellement, un agent complexant ; éventuellement, un agent oxydant ; éventuellement, un solvant organique ; éventuellement, un abrasif. Par ailleurs il est également fourni un procédé de fabrication d'une composition de la présente invention et un procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat, comprenant : la fourniture d'un substrat, le substrat étant une plaquette de semi-conducteurs avec interconnexions en cuivre ; la fourniture d'une composition selon la présente invention ; la fourniture d'un tampon de polissage chimico-mécanique ; la création d'un contact dynamique à une interface entre le tampon et le substrat avec application d'une force vers le bas de 0,69 à 34,5 kPa, et la répartition de la composition sur le tampon à l'interface ou près de l'interface entre le tampon et le substrat ; dans lequel la composition présente un pH ajusté à un pH de 2 à 6 par ajout d'au moins un parmi l'acide phosphorique, l'hydroxyde de magnésium et l'hydroxyde de lithium. A chemical mechanical polishing composition useful for chemical mechanical polishing a semiconductor wafer containing an interconnect metal is provided, comprising, as initial components: water; an azole inhibitor; an alkali metal organic surfactant; a hydrotrope; a phosphorus containing agent; optionally, a non-saccharide water soluble polymer; optionally, a water soluble acid compound of formula I, wherein R is selected from a hydrogen and a C1-5 alkyl group, and wherein x is 1 or 2; optionally, a complexing agent; optionally, an oxidizer; optionally, an organic solvent; and, optionally, an abrasive. Also, provided is a method for making a chemical mechanical polishing composition of the present invention and a method for chemical mechanical polishing of a substrate, comprising: providing a substrate, wherein the substrate is a semiconductor wafer having copper interconnects; providing a chemical mechanical polishing composition of the present invention; providing a chemical mechanical polishing pad; creating dynam