MÉTHODE DE PRÉPARATION D'UN SUBSTRAT DE GAAS POUR SEMI-CONDUCTEUR FERROMAGNÉTIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL SEMI-CONDUCTEUR, SUBSTRAT ET SEMI-CONDUCTEUR OBTENUS ET UTILISATIONS DE CE DERNIER

La présente invention concerne une méthode de préparation d'une surface d'un substrat à base de GaAs (001) pour la rendre apte à recevoir un semi-conducteur ferromagnétique déposé par épitaxie, un substrat ainsi préparé, un procédé de fabrication d'un tel semi-conducteur déposé sur ce substrat, ce semi-conducteur ainsi obtenu et ses utilisations. Cette méthode de préparation est destinée à rendre cette surface apte à recevoir un semi-conducteur ferromagnétique déposé par épitaxie, lequel est choisi dans le groupe constitué par les semi-conducteurs des groupes III-V, IV et II-VI de la classification périodique à l'exception de GaAs et comprend en outre au moins un élément magnétique choisi dans le groupe constitué par le manganèse, le fer, le cobalt, le nickel et le chrome. Selon l'invention, cette méthode comprend une désoxydation sous vide de ladite surface sous un flux réduit à base de germanium pour qu'en fin de désorption de l'oxyde d'arsenic et de gallium de ladite surface, cette dernière présente une reconstruction 2x1 mono-domaine et soit suffisamment plane et appauvrie en arsenic pour éviter toute diffusion d'arsenic du substrat vers le semi-conducteur ultérieurement déposé. A method is provided for preparing a surface of a GaAs substrate (001) such that it can receive a ferromagnetic semiconductor deposited by epitaxy, as well as a substrate thus prepared, method for manufacturing one such semiconductor deposited on the substrate, the resulting semiconductor, and uses thereof. The preparation method renders the surface capable of receiving an epitaxially deposited ferromagnetic semiconductor which may include semiconductors from groups III-V, IV and II-VI of the periodic table, with the exception of GaAs, and which also includes at least one magnetic element of manganese, iron, cobalt, nickel and chromium. The method includes vacuum deoxidation of the surface under a reduced germanium-based flux such that, following desorption of the arsenic and gallium oxide from the said surface, the latter has a single-domain 2×1 reconstruction and is sufficiently planar and arsenic-depleted to prevent any diffusion of arsenic from the substrate to the subsequently deposited semiconductor.