PROCEDE POUR OBTENIR UNE COUCHE D'ALN A FLANCS SENSIBLEMENT VERTICAUX

L'invention concerne un procédé de réalisation d'une couche d'AIN à flancs verticaux par rapport à la surface (2') d'un substrat (2), comportant : - la formation, sur un substrat (2), d'une couche (4, 4') de croissance de l'AIN, - le dépôt de la couche d'AIN (31), au moins sur cette couche de croissance, - la formation, par dessus la couche d'AIN, d'une couche (40, 40') de masque, dont au moins un bord est aligné avec au moins un bord (10, 12, 14) ou un flanc (10a, 10b) de la couche (4, 4') de croissance, selon un plan sensiblement perpendiculaire à une surface (2') du substrat (2) ou une surface (4') de la couche (4) de croissance, - la gravure de la couche d'AIN (31). The method involves depositing an aluminum nitride layer (31) on a topology pattern and a top edge of a step corresponding to one of bottom edges (32-1, 34-2) of a side, which is vertical or perpendicular relative to a surface (2') of a substrate (2). A mask layer is formed over the aluminum nitride layer whose edge is positioned so as to define one of top edges (32-2, 34-2) of the side. The aluminum nitride layer is etched via the mask, in order to obtain the side, where slope of the side is defined by a position of the top and bottom edges in a plane perpendicular to the surface. The mask layer is made of silica, or molybdenum, or platinum or an adhesive resin. An independent claim is also included for a heterogeneous substrate comprising a sub layer forming part of a step-type pattern.