SOURCE INFRAROUGE INTEGREE SUR SILICIUM A BASE DE NANO-CRISTAUX SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIFS ASSOCIES

Le domaine général de l'invention est celui des diodes électroluminescentes à nanocristaux quantiques (1) structurées en couches successives sur un substrat en silicium. Ces diodes comprennent au moins un empilement de couches minces composé d'une première couche conductrice faisant office d'anode (11), une seconde couche (12) d'injections de trous, une troisième couche (13) dite de transport de trous, une couche émettrice (14) dite quatrième couche comportant des nano-cristaux semiconducteurs, une cinquième couche (15) dite de transport des électrons et la sixième et dernière couche (16) dite couche cathode. Dans les structures selon l'invention, au moins la première couche conductrice ou la dernière couche conductrice sont transparentes dans le proche infrarouge, c'est-à-dire dans une gamme spectrale au moins comprise entre 1500 nanomètres et 3000 nanomètres. The general field of the invention is that of electroluminescent diodes having quantum nanocrystals (1), which are structured in a series of layers on a silicon substrate. Said diodes include at least one stack of thin layers consisting of a first conductive layer acting as an anode (11), a second hole injection layer (12), a third so-called hole transport layer (13), and an emitting layer (14), referred to as the fourth layer, comprising semiconductor nanocrystals, a fifth so-called electron transport layer (15) and the sixth and final layer (16) being referred to as the cathode layer. In the structures according to the invention, at least the first conductive layer or the last conductive layer are transparent in the near-infrared spectrum, i.e., in a spectral range between at least 1500 nanometers and 3000 nanometers.