High electronic mobility transistor for optoelectronic application, has interface loaded with electrons at level of nucleation and barrier layers, and passivation layer made of aluminum oxide formed at surface of barrier layer

The transistor has a nucleation layer (2) made of semiconductor material with strong resistivity and formed on a semiconductor substrate (1), where the material layer is made of gallium nitrate. A barrier layer (4) made of indium aluminum nitride is formed with large band gap. A two dimensional gas interface is loaded with electrons and positive loads at the level of the nucleation and barrier layers. A passivation layer (6) made of aluminum oxide is formed at a surface of the barrier layer, where the passivation layer is obtained by the oxidation of the barrier layer. An independent claim is also included for a method for fabricating a high electronic mobility transistor. L'invention concerne un transistor à grande mobilité électronique comprenant:. un substrat semiconducteur (1),. au moins une première couche de matériau semiconducteur à forte résistivité (2) à base de GaN,. au moins une première couche barrière de grande bande interdite (4) à base de InxAl1-xN,. une interface dite de gaz 2D chargée en électrons et en charges positives entre lesdites couches de matériau à forte résistivité et de grande bande interdite, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche de passivation (6) comportant de l'alumine à la surface de la couche barrière.Selon l'invention, la couche d'alumine est obtenue par une étape d'oxydation surfacique de la couche de InxAl1-xN . Une étape d'hydrogénation ou de deutération ultérieure peut permettre de plus d'améliorer les propriétés de fonctionnement du dispositif.