PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE COMPOSITION DE POLISSAGE MECANO-CHIMIQUE ET PROCEDE DE POLISSAGE MECANO-CHIMIQUE

L'invention concerne un procédé de production d'une composition pour polir la silice et le nitrure de silicium sur un substrat semiconducteur. Le procédé comprend :- la fourniture d'un polymère d'acide carboxylique dans une solution aqueuse ;- la mise en contact de la solution aqueuse avec une résine échangeuse d'ions pour retirer les cations solubles et l'ammoniac soluble de la solution aqueuse, la solution aqueuse fournissant un polymère d'acide carboxylique ayant subi un échange d'ions en solution aqueuse ;- l'ajout ou l'addition (i) d'un abrasif, (ii) d'un composé d'ammonium quaternaire et (iii) d'acide phtalique ou d'un sel d'acide phtalique au polymère d'acide carboxylique ayant subi un échange d'ions en solution aqueuse afin d'obtenir une suspension ayant 0,01 à 5 % en masse du polymère d'acide carboxylique ayant subi un échange d'ions, 0,001 à 1 % en masse de composé d'ammonium quaternaire, 0,001 à 1 % en masse d'acide phtalique ou de sel d'acide phtalique et 0,01 à 5 % en masse d'abrasif. The present invention provides a method of manufacturing a composition for polishing silica and silicon nitride on a semiconductor substrate. The method comprises ion-exchanging carboxylic acid polymer to reduce ammonia and combining by weight percent 0.01 to 5 of the ion-exchanged carboxylic acid polymer with 0.001 to 1 quaternary ammonium compound, 0.001 to 1 phthalic acid and salts thereof, 0.01 to 5 abrasive, and balance water.