DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR AYANT UN CIRCUIT OSCILLATEUR COMMANDE PAR TENSION PERFECTIONNE

Un circuit oscillateur commandé par tension comprend, en combinaison, un élément à capacité variable et au moins un transistor bipolaire formés sur un même substrat semiconducteur (6). L'élément à capacité variable comprend une pluralité de jonctions PN connectées en série en sens inverse, et ces jonctions PN sont formées par une seule couche de collecteur (8) commune et une pluralité de couches de base (9) séparées, formées sur la couche de collecteur commune. La capacité de l'élément à capacité variable est formée entre des couches de base (9) respectives des jonctions PN avec la couche de collecteur (8), et elle varie en correspondance avec la tension appliquée à la couche de collecteur commune. A semiconductor device having an improved voltage control oscillator circuit is provided. The voltage control oscillator circuit includes, in combination, a variable-capacitance element and at least one bipolar transistor on a single semiconductor substrate. The variable-capacitance element includes reversely serially connected PN junctions, and junctions are formed by a single common collector layer and separated base layers on the common collector layer. The capacitance of the variable-capacitance element is generated between respective base layers of the PN junctions with the common collector layer, and varies in correspondence with the voltage applied to the common collector layer.