Gold wire connection manufacturing method for semiconductor component, involves applying gold layer on diffusion blocking layers arranged on catalyst layer, and connecting gold wire to gold layer by welding process
The method involves arranging a catalyst layer (6) on connection points (2) of a chip (1). A diffusion blocking layer (7) is arranged on the catalyst layer, and a gold layer (8) is applied on the blocking layer. A gold wire is connected to the gold layer by a welding process. The gold layer has a th...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| Zusammenfassung: | The method involves arranging a catalyst layer (6) on connection points (2) of a chip (1). A diffusion blocking layer (7) is arranged on the catalyst layer, and a gold layer (8) is applied on the blocking layer. A gold wire is connected to the gold layer by a welding process. The gold layer has a thickness of 30 to 500 nanometer and the blocking layer has a thickness of 0.8 to 5 micrometer. An independent claim is also included for a gold wire connection for semi-conductor component.
Procédé de fabrication d'une liaison de fil d'or résistant à une température élevée pour des composants semi-conducteurs.On dépose une couche de catalyseur (6) sur des points de liaison (2) d'une pastille (1), on dépose une barrière de diffusion métallique (7) sur la couche de catalyseur (6) et ensuite on applique une couche d'or (8) et on relie le fil d'or (9) à la couche d'or (8) par un procédé d'assemblage par une liaison par matière. |
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