TRANSISTOR MOS DE PUISSANCE LATERAL

L'invention concerne un transistor MOS de puissance formé dans une couche épitaxiée (21) d un premier type de conductivité, elle-même formée sur la face avant d'un substrat (22) fortement dopé du premier type de conductivité, comprenant une pluralité de doigts de drain (D) et de source (S) alternés du deuxième type de conductivité séparés par un canal, des doigts conducteurs (28, 29) recouvrant chacun des doigts de source et des doigts de drain, un deuxième niveau de métal (32) reliant tous les doigts de métal de drain et recouvrant sensiblement l'ensemble de la structure de source-drain. Chaque doigt de source (26) comporte une zone (27) fortement dopée du premier type de conductivité en contact avec la couche épitaxiée (21) et avec le doigt de source (28) correspondant, et en ce que la face arrière du substrat est revêtue d'une métallisation de source (33). The MOS transistor of lateral structure type is formed in an n-type conductivity epitaxial layer (21) which is formed on the front face of a highly doped n-tpe conductivity substrate (22), and comprises a set of alternating drain regions (D) and source regions (S) separated by channels, a corresponding set of conductor regions (28,29) each covering the drain and the source regions, a metallization layer (32) connecting teh conductor regions (29) corresponding to the drain regions and covering substantially the source-drain structure. Each source region (S) comprises a highly doped n-type conductivity zone (27) in contact with the epitaxial layer (21) and with the corresponding source conductor region (28). The rear face of the substrate is covered wtih a source metallization layer (33). The zone (27) is extended substantially in the length of the source region (S), or on selected zones in the length of the source region. The MOS transistor with p-type conductivity channel also comprises the interconnected gate regions (23) formed above a thin insulator layer (24) and surrounded by an insulator layer (25), and the source regions (S) each comprising highly doped p-type conductivity zones (26). An insulator layer (30) is deposited onto the structure before the upper metallization layer (32) which is in contact with the drain metal regions (29). The types of conductivity are reversed for implementing a MOS transistor with n-type conductivity channel.