PROCEDE DE FORMATION D'UNE STRUCTURE CONDUCTRICE

La présente invention concerne une technologie de construction des structures conductrices à l'aide des particules chargées.Le procédé de formation d'une structure conductrice consiste à appliquer sur un substrat une couche de matériau susceptible de se transformer sous l'action du ra...

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Hauptverfasser:	VELIKHOV EVGENY PAVLOVICH, KULESHOVA EVGENIA ANATOLIEVNA, GUROVICH BORIS ARONOVICH, RYAZANTSEV EVGENY PETROVICH, MEILIKHOV EVGENY ZALMANOVICH, ARONZON BORIS ARONOVICH, RYLKOV VLADIMIR VASILIEVICH, DOMANTOVSKY ALEXANDR GRIGORIEVICH, PRIKHODKO KIRILL EVGENIEVICH, DOLGY DMITRY LOSIFIVICH
Format:	Patent
Sprache:	fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	La présente invention concerne une technologie de construction des structures conductrices à l'aide des particules chargées.Le procédé de formation d'une structure conductrice consiste à appliquer sur un substrat une couche de matériau susceptible de se transformer sous l'action du rayonnement en couche de matériau conducteur dont l'épaisseur est de 2 à 20 nm et on soumet ladite couche de matériau à l'irradiation par un faisceau de particules chargées. En conséquence, le matériau de la couche se transforme sur chaque partie irradiée en une composante conductrice, qui forme, sur un substrat, une multitude d'éléments de la structure conductrice et en une composante non conductrice déplaçable à l'intérieur du matériau du substrat. La présente invention peut être applique dans la microélectronique pour former les microcircuits les dispositifs de mémoire et des éléments optiques.