DISPOSITIF DE MEMOIRE VIVE DYNAMIQUE

Chaque cellule-mémoire (CM) comprend quatre transistors à effet de champ à grilles isolées (T1-T4) comprenant deux transistors de mémorisation (T3, T4) possédant tous les deux un même premier quotient (W1/L1) entre leur largeur de canal (W1) et leur longueur de canal (L1), et deux transistors d'...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	EL HAJJI NOUREDDINE
Format:	Patent
Sprache:	fre
Schlagworte:	INFORMATION STORAGE PHYSICS STATIC STORES
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