DISPOSITIF DE MEMOIRE VIVE DYNAMIQUE
Chaque cellule-mémoire (CM) comprend quatre transistors à effet de champ à grilles isolées (T1-T4) comprenant deux transistors de mémorisation (T3, T4) possédant tous les deux un même premier quotient (W1/L1) entre leur largeur de canal (W1) et leur longueur de canal (L1), et deux transistors d'...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | fre |
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| Zusammenfassung: | Chaque cellule-mémoire (CM) comprend quatre transistors à effet de champ à grilles isolées (T1-T4) comprenant deux transistors de mémorisation (T3, T4) possédant tous les deux un même premier quotient (W1/L1) entre leur largeur de canal (W1) et leur longueur de canal (L1), et deux transistors d'accès (T1, T2) possédant tous les deux un même deuxième quotient (W2/L2) entre leur largeur de canal (W2) et leur longueur de canal (L2). Le rapport (R) entre le premier quotient et le deuxième quotient est supérieur ou égal à un.
The width to length quotient of the second transistor grid pair is above that of the first pair, providing longer storage times. |
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