TRANSISTOR BIPOLAIRE A GRILLE ISOLEE A CANAL COURT AYANT DES PROPRIETES AMELIOREES POUR SA CHUTE DE TENSION EN SENS DIRECT ET SES PERTES DE PUISSANCE PAR COMMUTATION

Un transistor bipolaire à grille isolée cellulaire, qui est doté de régions de source annulaire (17 à 19) et de régions enrichies ultraprofondes (30), possède des régions de canal (14a, 15a, 16a) de longueur réduite, que l'on obtient en réduisant le temps de diffusion à 1 175 deg.C à une durée de 60 à 90 min, par opposition aux 120 min nécessaires dans la technique antérieure. Le procédé permet d'effectuer la réduction de la durée de vie des porteurs minoritaires par application d'une dose d'irradiation électronique plus élevée de façon à améliorer les pertes de puissance de commutation tout en ne réduisant l'aire de sécurité que d'une petite valeur.