PROCEDE DE PRODUCTION DE MONOCRISTAUX SUPRACONDUCTEURS CERAMIQUES

La présente invention concerne un monocristal supraconducteur à température élevée en vrac, répondant à la formule MBa2 Cu3 07-x dans laquelle M est choisi dans le groupe constitué par Y, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er et Yb; et x est un nombre ayant une valeur d'environ 0,1 à environ 1,0 qui est produ...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	MILIUS DAVID L, AKSAY ILHAN A, LETTOW JOHN S, VICENZI EDWARD P
Format:	Patent
Sprache:	fre
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR ARTIFICIAL STONE CEMENTS CERAMICS CHEMISTRY COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDINGMATERIALS CONCRETE CRYSTAL GROWTH LIME, MAGNESIA METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL REFRACTORIES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH SLAG TREATMENT OF NATURAL STONE UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	La présente invention concerne un monocristal supraconducteur à température élevée en vrac, répondant à la formule MBa2 Cu3 07-x dans laquelle M est choisi dans le groupe constitué par Y, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er et Yb; et x est un nombre ayant une valeur d'environ 0,1 à environ 1,0 qui est produit par un nouveau procédé comprenant: i) des poudres de départ produites par pyrolyse par atomisation à la combustion, ii) une nouvelle poudre d'enfournement et/ou iii) un procédé de croissance isotherme suivi.