REALISATION D'UN ECHANTILLON DE REFERENCE POUR APPAREIL DE CARACTERISATION DE DOSES IMPLANTEES

L'invention concerne la réalisation d'un échantillon de référence pour un étalonnage d'un appareil de caractérisation de doses implantées sur une plaquette (1), consistant à définir une succession d'au moins deux bandes parallèles (Bi) sur la plaquette (1), à déposer un premier masque d'implantation sur la plaquette selon un motif laissant accessible une première bande (B1), à effectuer une première implantation ionique d'une première dose, à éliminer le premier masque et à déposer un deuxième masque d'implantation sur la plaquette (1) selon un motif laissant accessible la première bande (B1) ainsi qu'une deuxième bande (B2) contiguë, à effectuer une deuxième implantation ionique d'une deuxième dose, et à éliminer le deuxième masque. The method involves applying a first mask to the surface of a disc such that a segment (B1) is exposed to a dose (D1). A second mask is then applied in place of the first to expose a larger segment (B1+B2) to a second dose (D2) preferably having the same energy of ionic bombardment as the first. The procedure is continued to produce as many bands of ascending dose as may be required to correspond to the production process and the reference sample is stabilised by heating to 1000 degrees C. Calibration of measuring apparatus is made by one sweep in a direction perpendicular to the dosed bands B.