DEPOT D'ISOLANT UTILISANT UN FAISCEAU D'IONS FOCALISE

Des procédés et des appareils sont proposés pour déposer un matériau isolant dans une zone prédéfinie d'un circuit intégré. Des molécules d'un composé contenant des atomes de silicium et des atomes d'oxygène sont mélangées à un gaz réactif et injectées dans la région de la surface du circuit intégré devant être traité, tandis qu'un faisceau d'ions focalisé est dirigé vers cette région. Le matériau qui en résulte et qui est déposé sélectivement dans des régions localisées de la surface du circuit intégré, présente une résistivité élevée. Le dépôt d'isolant est utile lors de la réparation d'un circuit intégré à semi-conducteur à l'aide d'un faisceau de particules chargées tel qu'un faisceau d'ions focalisé, ce qui permet d'effectuer certains types de réparations et de minimiser le temps de réparation. A titre d'exemple, un système à FIF est mis en oeuvre conformément à l'invention pour déposer une couche d'isolant au-dessus d'une ligne métallique exposée quelconque, afin de protéger la ligne métallique d'un court-circuit avec d'autres lignes métalliques et de permettre une opération de réparation supplémentaire par FIF. Methods are provided for depositing insulator material at a pre-defined area of an integrated circuit (IC) by: placing an IC in a vacuum chamber; applying to a localized surface region of the integrated circuit at which insulator material is to be deposited a first gas containing molecules of a dissociable compound comprising atoms of silicon and oxygen and a second gas containing molecules of a compound which reacts with metal ions; generating a focused ion beam having metal ions of sufficient energy to dissociate molecules of the first gas; and directing the focused ion beam at the localized surface region to dissociate at least some of the molecules of the first gas and to thereby deposit on at least a portion of the localized surface region a material containing atoms of silicon and oxygen. The dissociable compound comprises atoms of carbon and hydrogen, such as di-t-butoxydiacetoxy-silane. The compound which reacts with metal ions may be carbon tetrabromide or ammonium carbonate.