Heterojunction bipolar transistor with buried sub-collector/collector

The invention relates to a heterojunction bipolar transistor, the sub-collector/collector of which is buried in a semi-insulating material, so as to reduce the base/collector capacitance Cbc. This transistor has a first mesa, formed by the layers (2 to 6) of the transistor itself, surrounded at its foot by a second mesa, formed by a semi-insulating pedestal (8) which supports a doped base contact layer (9). Epitaxy of the first mesa is carried out through a mechanical mask (M). Application to UHF power. L'invention concerne un transistor bipolaire à hétérojonction, dont le sous-collecteur/collecteur est enterré dans un matériau semi-isolant, afin de diminuer la capacité Cb c base/collecteur. Ce transistor présente un premier mésa, formé par les couches (2 à 6) du transistor lui-même, entouré à son pied par un second mésa, formé par un piédestal semi-isolant (8) qui supporte une couche (9) dopée de contact de base. L'épitaxie du premier mésa se fait à travers un masque mécanique (M). Application à la puissance, en hyperfréquences.