Procédé de formation de motif fin dans un dispositif à semi-conducteur

Dans un procédé de formation d'un motif fin d'un dispositif à semi-conducteur, un photorésist est déposé sur une couche (22) devant être dessinée qui est formée sur un substrat (21), le photorésist est tracé grâce à un processus lithographique afin de former ainsi un motif de photorésist (25), une gravure anisotrope est réalisée sur la structure résultante où le motif de photorésist (25) est formé, afin de former ainsi un sous-produit de gravure (26) sur les parois latérales du motif de photorésist (25) et la couche (22) devant être tracée est gravée en utilisant le motif de photorésist (25) et le sous-produit de gravure (26) comme masque de gravure. Un motif fin peut être formé grâce à un processus très simple et sans augmenter le coût, permettant ainsi une intégration à très grande échelle d'un dispositif à semi-conducteur. A method for forming a fine pattern, e.g., for forming the storage electrodes of the capacitors of the memory cells of semiconductor memory devices, which includes the steps of depositing a mask layer on the layer to be patterned, depositing a photoresist layer on the mask layer, patterning the photoresist layer, to thereby form a photoresist pattern, anisotropically etching the mask layer, using the photoresist pattern as an etching mask, to thereby form a mask layer pattern, wherein etch by-products are formed on sidewalls of a composite layer comprised of the photoresist pattern and the mask layer pattern, and, etching the layer to be patterned using the composite layer and the etch by-products as an etching mask, to thereby form a fine pattern. The mask layer is made of a material, e.g., a high-temperature oxide, having different physical properties than that of the photoresist. Further, the anisotropic etching process is preferably carried out by means of a plasma etching process using a mixture of CF4, CHF4, and Ar gases, with the amount of the etch by-products being controllably adjusted by the ratio of these gases, and/or by controllably adjusting the time, temperature, and/or pressure parameters of this anisotropic etching process.