Vertical heterojunction bipolar transistor mfg. process esp. in silicon - has thin monocrystalline barrier layer, formed by ion implantation, between emitter and base

The bipolar transistor mfg. process involves forming collector e.g. n-type, base e.g. p-type and emitter (3) e.g. n-type vertical layers on a substrate (S) by epitaxial deposition. A filter barrier layer (4) of thickness between 5 and 100 nm is formed at the interface between the emitter and base layer by ion implantation, of either the base or emitter layers, for selective control of electron or hole injection from the base to the emitter. Pref. the monocrystalline barrier layer is SiC. ADVANTAGE - Monocrystalline emitter. Procédé de réalisation d'un transistor bipolaire comportant une étape permettant de réaliser une couche (4) barrière filtrante (épaisseur 5 à 100 nm par exemple) entre l'émetteur (3) et la base (2). Cette étape est réalisée par implantation ionique et permet d'obtenir un transistor dont les couches sont toutes en matériau semiconducteur monocristallin. Une réalisation préférentielle est un transistor en silicium dont la couche barrière filtrante (4) est en SiC. Applications: Transistors bipolaires à hétérojonctions.