PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE

L'invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif optoélectronique dans lequel les différentes couches du dispositif sont principalement réalisées au cours d'une seule étape d'épitaxie à l'aide d'un masque mécanique amovible (M). Applications: Réalisation d...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	MAUREL PHILIPPE, HIRTZ JEAN-PIERRE, JEANARLES GARCIA, GARCIA JEANARLES, PHILIPPE MAUREL, JEAN-PIERRE HIRTZ
Format:	Patent
Sprache:	fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS DEVICES USING STIMULATED EMISSION ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	L'invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif optoélectronique dans lequel les différentes couches du dispositif sont principalement réalisées au cours d'une seule étape d'épitaxie à l'aide d'un masque mécanique amovible (M). Applications: Réalisation de lasers enterrés principalement. The invention relates to a method of manufacturing an optoelectronic device in which the various layers of the device are manufactured mainly in the course of a single epitaxial-growth step with the aid of a removable mechanical mask (M). Applications: manufacture of buried lasers mainly.