Method for fabricating a metal electrode in a semiconductor device

Method for fabricating a metal electrode of a semiconductor device comprising the following steps: formation of a first metal layer (11, 20, 30) which is not anodised up to a predetermined thickness of the substrate (10) and of a first grating; formation of a second metal layer (12, 21, 31) which is anodised on the substrate and of a second grating (13, 32); and formation of a mask (13, 32) corresponding to the said first metal layer (11, 20, 30) on the said second metal layer (12, 21, 31) and formation of a flattened surface (14, 14', 15) by anodic oxidation in such a way that the regions other than the first and the second metal gratings become an insulation having the same vertical dimension as the surface of the substrate (10). Procédé pour fabriquer une électrode métallique d'un dispositif semi-conducteur comprenant les étapes suivantes: formation d'une première couche métallique (11, 20, 30) qui n'est pas anodisée jusqu'à une épaisseur prédéterminée du substrat (10) et d'un premier réseau; formation d'une deuxième couche métallique (12, 21, 31) qui est anodisée sur le substrat et d'un deuxième réseau (13, 32); et formation d'un masque (13, 32) correspondant à ladite première couche métallique (11, 20, 30) sur ladite deuxième couche métallique (12, 21, 31) et formation d'une surface aplanie (14, 14', 15) par oxydation anodique de manière que les régions autres que le premier et le deuxième réseaux métalliques deviennent un isolant ayant la même dimension verticale que la surface du substrat (10).