DETECTEUR D'ONDES ELECTROMAGNETIQUES

L'invention concerne un détecteur d'ondes électromagnétiques comportant plusieurs empilements de couches de matériaux semiconducteurs (1 à 4) chaque empilement constituant un puits quantique asymétrique à barrière échelonnée et possède deux niveaux d'énergie située l'un (e1 ) au-dessous du niveau d'énergie de l'échelon de barrière intermédiaire (3) et l'autre (e2 ) situé au-dessus. Des moyens permettent d'appliquer un champ électrique à la structure. Applications: Détecteurs d'ondes électromagnétiques. The invention relates to an electromagnetic wave detector comprising several stacks of layers of semiconductor materials (1 to 4), each stack constituting a stepped-barrier asymmetric quantum well and possesses two energy levels, one (e1) situated below the energy level of the intermediate barrier step (3), and the other (e2) situated above. Means enable an electric field to be applied to the structure. Applications: electromagnetic wave detectors.